Компания Hynix была образована в 1983 году и на данный момент является одним из крупнейших производителей полупроводниковых компонентов. Штаб-квартира находится в городе Сеул, Корея. Слияние с LG Semiconductor в 1999 году, позволило еще больше расширить производственные мощности, для производства памяти DRAM. Сегодня в ассортименте компании имеются DDR и DDR2 решения, в первой половине 2006 года планируется производство нового типа памяти - FB-DIMM (Fully-Buffered Dual in-line Memory Modules).
Производитель Hynix Тип памяти DDR Объем памяти 1024 Мб Время доступа 5 нс. Латентность CL-3 Пропускная способность 3200 Мб/с Проверка и коррекция ошибок Нет Буферизация Нет Частота работы 200 Мгц Эффективная частота 400 Мгц Дополнительные технологии Питание 2.5 В, TSOP формат микросхем памяти, Слот 184 pin DIMM, Организация - 16 микросхем по 64Мб (512 Мбит).
Доступность
В наличии: 1
Отзывы покупателей:
Для этого товара пока нет отзывов. Чтобы написать отзыв Вы должны войти в магазин как пользователь.
