Производитель Hynix
Тип памяти DDR2
Объем памяти 1 Гб
Время доступа 5 нc
Латентность CL-5
Trcd-5
Trp-5
Tras-12
Пропускная способность 6400 Мб/с [Описание товара...]
Производитель Samsung Electronics
Тип памяти DDR2 SDRAM
Объем памяти 1024 Мб
Время доступа 5 нс
Латентность cl - 5
trcd - 5
trp - 5
tras - 12
Пропускная способность 6400 Мб/сек [Описание товара...]
Производитель Hynix
Тип памяти DDR2
Объем памяти 2048 Мб
Время доступа 5 нс
Латентность CL-6
TRCD-6
TRP-6
TRAS-12
Пропускная способность 6400 Мб/с
Проверка и коррекция ошибок Нет
Буферизация Нет
Частота р [Описание товара...]
Производитель Kingston
Тип памяти DDR2
Объем памяти 2048 Мб
Время доступа 5 нс
Латентность CL5
Пропускная способность 6400 Мб/с
Проверка и коррекция ошибок Нет
Буферизация Нет
Частота работы 200 Мгц
Эф [Описание товара...]
Производитель Samsung Electronics
Тип памяти DDR2 SDRAM
Объем памяти 2048 Мб
Время доступа 5 нс
Латентность CL - 6
TRCD - 6
TRP - 6
TRAS - 12
Пропускная способность 6400 Мб/сек
Проверка и коррекция ошибок Нет
[Описание товара...]
Производитель Hynix
Тип памяти DDR2
Объем памяти 512 Мб
Время доступа 5 нс
Латентность CL-5
Trcd-5
Trp-5
Tras-12
Пропускная способность 6400 Мб/с [Описание товара...]
Производитель Samsung Electronics
Тип памяти DDR2 SDRAM
Объем памяти 512 Мб
Время доступа 5 нс
Латентность CL 6
tRCD - 6
tRP - 6
tRAS - 12
Пропускная способность 6400 Мб/сек [Описание товара...]